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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Comparar
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
39
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
9.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
10.5
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2298
2443
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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