RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Comparar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
41
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
41
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2767
2656
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link