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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Comparar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
73
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
73
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.5
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2767
1838
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
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