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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Razões a considerar
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
35
Por volta de -84% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.5
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
19
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
17.5
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2767
3499
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
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