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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Comparar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
35
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.7
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.8
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2767
2711
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
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