RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Comparar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
52
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
10.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
52
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2767
2390
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link