RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Comparar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
35
Por volta de -106% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.6
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.6
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
17
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
21.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
18.6
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2767
3528
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link