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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
36
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
10.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
13.0
10.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2987
2519
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
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