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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
33
Por volta de -3% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
13.0
8.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2987
2271
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
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