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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Comparar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
12.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
46
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.4
12.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2660
2936
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
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Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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