RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Comparar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
11.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
46
Por volta de -31% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
35
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.4
11.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2660
2848
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link