RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Comparar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
11.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
46
Por volta de -31% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
35
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.4
11.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2660
2848
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link