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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Comparar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
46
Por volta de -5% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
44
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.4
11.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2660
2191
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
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