RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Comparar
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
54
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
7.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
54
Velocidade de leitura, GB/s
15.9
7.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.8
7.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2936
1611
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link