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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Comparar
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
37
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
13.5
12.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3075
2973
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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