RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Comparar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
55
Por volta de -72% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
55
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
13.8
10.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2701
2895
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link