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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
11.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
2853
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
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