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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
49
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
49
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2673
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Comparações de RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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