RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
38
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
23
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3241
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB Comparações de RAM
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link