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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
96
Por volta de 60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
4.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
96
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
4.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
1062
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston KV0M5R-HYD 8GB
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Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
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