RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
38
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
15.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3432
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link