RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3402
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link