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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
38
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
23
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3081
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
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