RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
38
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
15.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
24
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2508
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link