RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
39
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
39
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3027
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link