RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
38
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
15.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3728
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link