RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
45
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
45
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3027
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link