RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
38
Por volta de -19% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2801
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link