RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de -36% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2665
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link