RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
38
Por volta de -9% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2713
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link