RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
62
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
15.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
62
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
7.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
1808
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link