RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
54
Por volta de 30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
54
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
10.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2313
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link