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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
38
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
15.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
23
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2532
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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