RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
38
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
16.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3616
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link