RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
38
Por volta de -58% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
24
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2879
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link