RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
38
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
15.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
31
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3154
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link