RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
38
Por volta de -65% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
23
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2476
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link