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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
43
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
10.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2034
2148
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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