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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
45
45
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
2173
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
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