RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
71
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
71
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
1586
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link