RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
45
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
39
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
3329
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link