RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.9
9.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
45
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
2250
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link