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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
45
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
2892
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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