RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
45
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
34
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
2584
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link