RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
45
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
2186
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link