RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
46
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2072
3081
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link