RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Comparar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
77
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
77
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2072
1688
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link