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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
47
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
26
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
3124
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
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