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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
47
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
24
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2445
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
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