RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
47
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2291
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link