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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston X74R9W-MIE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
47
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
15.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
3136
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
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